EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
এলকে-এএমপিডি-ডি হাই স্পিড এমপ্লিফাইড মাইক্রোওয়েভ ইনজিএএস ফটোডিটেক্টর
- উচ্চ গতি, প্রশস্ত ব্যান্ডউইথ
- অন্তর্ভুক্ত পক্ষপাত-টি
- ও/ই হাইব্রিড ইন্টিগ্রেটেড
- উচ্চ গেইন, কম নয়েজ, ব্রডব্যান্ড
- হারমেটিকভাবে সিল করা, SMA সংযোগকারী
- কম ডার্ক কারেন্ট, উচ্চ সিগন্যাল-টু-নয়েজ অনুপাত।
- ক্ষুদ্র আকৃতি।
পণ্য বিবরণ
LK-AMPD-D is a fusion of optical and electronic components, featuring a wide-spectrum InGaAs photodiode and a minimal-noise amplifier. The InGaAs PIN photodiode has a sensitivity range from 1000 to 1650nm. The low-noise amplifier boasts an RF gain of 30dB.
LK-AMPD-D is capable of delivering bandwidths of either 12GHz or 20GHz. This device functions with a +9V power supply. It is designed to work with the standard single-mode 9/125μm fiber as input. The RF output features an SMA-type connector that is impedance-matched to 50 ohms.
LK-AMPD-D is sealed in a way that prevents the ingress of moisture and other contaminants, and it has a weight of less than 23 grams. It is certified to meet the requirements of the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2.0.
কারিগরি দক্ষতা
| সাধারণ ও পরম সর্বোচ্চ রেটিং | ||||
|---|---|---|---|---|
| স্থিতিমাপ | সিম। | আদর্শ | নির্ধারণ | একক |
| স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা | TSTG | -45 ～ +85 | -55 ～ +100 | ℃ |
| অপারেটিং কেস তাপমাত্রার পরিসর | TC | 25 | -40 ～ +85 | ℃ |
| অত্যাধিক ভোল্টেজ | VR | +9 | +9 ～ +12 | V |
| অপটিক্যাল ইনপুট পাওয়ার | পিন | 0 | +10 | dBm |
| বার্ন-আউট অপটিক্যাল পাওয়ার | PB | - | +13 | dBm |
| সীসা ঝালাইয়ের তাপমাত্রা | Tp | 280 (10s) | 330 (10s) | ℃ |
| বৈদ্যুতিক / অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য ( TC = ২২ ± ৩ ℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| স্থিতিমাপ | সিম | পরিক্ষামুলক অবস্থা | পরামিতি মান | একক | ||
| তরঙ্গদৈর্ঘ্য ব্যাপ্তি | λ | - | 1000 - 1650 | nm | ||
| ফ্রিকোয়েন্সি পরিসর | - | - | এক্স - ব্যান্ড | কু - ব্যান্ড | - | |
| ক্ষুদ্র সংকেত ব্যান্ডউইথ | f-3dB | TC = ২২ ± ৩℃ | ০.৮ ～ ১৯.৫ | ১০০০ ～ ১৬৫০ | গিগাহার্জ | |
| দায়বদ্ধতা | Re | VR =+9V, Pin =10mW | λ = ১৫৫০ nm | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | এ / ওয়াট |
| λ = ১৫৫০ nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| বিস্তার সমতলতা | A | TC =-৪৫～+৮৫ ℃ | ≤ ± ১.৫ | dB | ||
| স্যাচুরেশন অপটিক্যাল পাওয়ার | Ps | VR = +9 V, λ = 1550 nm AC Modulated | +10 | dBm | ||
| আরএফ সিগন্যাল গেইন | G | - | 30 ± 1 | dB | ||
| স্যাচুরেশন আরএফ আউটপুট পাওয়ার | Pবাইরে | - | +10 | dBm | ||
| আউটপুট ভিএসডাব্লুআর | VSWR | - | ≤ 2 | - | ||
| আউটপুট | RL | - | 50 | Ω | ||
●সাধারণ প্রতিক্রিয়া বক্ররেখা
（ Fig . 1 X- Band Photodetector Frequency Response）
(চিত্র ২: কু-ব্যান্ড ফটোডিটেক্টরের ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া)
●মাত্রা ও পিন ( একক: মিমি [ইঞ্চি] )
RF সংযোগকারীঃ SMA
●তথ্য বিন্যাস
পৃষ্ঠা ৩ঃ
| কোড | আরএফ সিগন্যাল গেইন | মন্তব্য |
| D | 30 ডিবি | সাধারণ এবং কেন্দ্র ফ্রিকোয়েন্সি |
পৃষ্ঠা ৩ঃ
| কোড | এনালগ ব্যান্ডউইথ |
| X | ০.৩ ～ ১২ গিগাহার্টজ |
| Ku | ০.৩ ～ ১২ গিগাহার্টজ |
পৃষ্ঠা ৩ঃ
| কোড | সংযোগকারী প্রকার | মন্তব্য |
| N | কোন সংযোগকারী নেই | সিঙ্গেল-মোড ৯ / ১২৫ মাইক্রোমিটার ফাইবার পিগটেইল |
| A | এফসি / এপিসি | |
| P | এফসি / পিসি |
●নিরাপত্তা
ফাইবারের ক্ষতি এড়ানোর জন্য ফাইবারের বাঁকানোর ব্যাসার্ধ কমপক্ষে ২০ মিমি হতে হবে।
অপ্টো-সার্কিটের সাথে সংযোগ করার আগে ফাইবার কাপলিংয়ের পৃষ্ঠটি পরিষ্কার আছে কিনা তা নিশ্চিত করুন।
সংরক্ষণ, পরিবহন এবং ব্যবহারের ক্ষেত্রে উপযুক্ত ESD সুরক্ষা প্রয়োজন।
আমাদের সকল স্ট্যান্ডার্ড ফটোডিটেক্টরকে মডিউলে কাস্টমাইজ করা যায়!
অ্যাপ্লিকেশন
রাডার তথ্য প্রক্রিয়াকরণ
বৈদ্যুতিন যুদ্ধ
অ্যান্টেনা পরিমাপ
ফাইবার অপটিক যোগাযোগ
সুরক্ষা এবং নজরদারি
