LK-MAMPD-4 মাল্টিচ্যানেল হাই স্পিড এমপ্লিফাইড মাইক্রোওয়েভ ফটোডিটেক্টর
- উচ্চ গতি, প্রশস্ত ব্যান্ডউইথ
- অন্তর্ভুক্ত পক্ষপাত-টি
- ও/ই হাইব্রিড ইন্টিগ্রেটেড
- উচ্চ গেইন, কম নয়েজ, ব্রডব্যান্ড
- হারমেটিকভাবে সিল করা, SMA সংযোগকারী
- কম ডার্ক কারেন্ট, উচ্চ সিগন্যাল-টু-নয়েজ অনুপাত।
- ক্ষুদ্র আকৃতি।
পণ্য বিবরণ
LK-MAMPD-4 is a state-of-the-art optoelectronic hybrid system, integrating a broadband Indium Gallium Arsenide (InGaAs) photodiode with a low-noise amplifier. This photodiode is characterized by a spectral response wavelength range from 1000 to 1650 nanometers. The low-noise amplifier within the system offers a Radio Frequency (RF) gain of 15 decibels, ensuring signal integrity and amplification.
LK-MAMPD-4 is capable of providing bandwidths of 12 gigahertz and 18 gigahertz, catering to a variety of high-speed communication and detection requirements. The module is designed to operate on a +5-volt supply voltage, which is standard in many electronic systems. It is compatible with standard single-mode 9/125-micrometer optical fibers, ensuring seamless integration with existing fiber optic networks. The RF output port features an SMP-compatible connector, which is impedance-matched to 50 ohms for optimal signal transmission and minimal signal loss.
LK-MAMPD-4 is constructed with a hermetic sealing process, which provides robust protection against environmental factors, enhancing its durability and reliability. It has a compact form factor, weighing in at less than 62 grams, which is advantageous for applications where weight is a consideration. The module is certified to comply with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2.0, confirming its adherence to stringent environmental and safety standards.
কারিগরি দক্ষতা
| সাধারণ ও পরম সর্বোচ্চ রেটিং | ||||
|---|---|---|---|---|
| স্থিতিমাপ | সিম। | আদর্শ | নির্ধারণ | একক |
| স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| অপারেটিং কেস তাপমাত্রার পরিসর | TC | 25 | -40 ~ +85 | ℃ |
| অত্যাধিক ভোল্টেজ | VR | +5 | +5 ~ +9 | V |
| অপটিক্যাল ইনপুট পাওয়ার | পিন | 0 | +10 | dBm |
| বার্ন-আউট অপটিক্যাল পাওয়ার | PB | - | +13 | dBm |
| সীসা ঝালাইয়ের তাপমাত্রা | Tp | 280 (10s) | 330 (10s) | ℃ |
| বৈদ্যুতিক / অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য ( TC = ২২ ± ৩ ℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| স্থিতিমাপ | সিম | পরিক্ষামুলক অবস্থা | পরামিতি মান | একক | ||
| তরঙ্গদৈর্ঘ্য ব্যাপ্তি | λ | - | 1000 - 1650 | nm | ||
| ফ্রিকোয়েন্সি পরিসর | - | - | এক্স - ব্যান্ড | কু - ব্যান্ড | - | |
| ক্ষুদ্র সংকেত ব্যান্ডউইথ | f-3dB | TC = ২২ ± ৩℃ | 0.3 - 12 | 2 - 18 | গিগাহার্জ | |
| দায়বদ্ধতা | Re | VR =+5V, Pin =10mW | λ = ১৫৫০ nm | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | এ / ওয়াট |
| λ = ১৫৫০ nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| বিস্তার সমতলতা | A | TC =-৪৫~+৮৫ ℃ | ≤ ± ১.৫ | dB | ||
| স্যাচুরেশন অপটিক্যাল পাওয়ার | Ps | VR =+ 5 V, λ = 1550 nm এসি মডুলেটেড |
10 | dBm | ||
| আরএফ সিগন্যাল গেইন (সাধারণ) | G | - | 15 ± 1 | dB | ||
| স্যাচুরেশন আরএফ আউটপুট পাওয়ার | Pবাইরে | - | +3 | dBm | ||
| আউটপুট ভিএসডাব্লুআর | VSWR | - | ≤ 2 | - | ||
| আউটপুট | RL | - | 50 | Ω | ||
● সাধারণ প্রতিক্রিয়া বক্ররেখা

(চিত্র ১: এক্স-ব্যান্ড ফটোডিটেক্টরের ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া)

(চিত্র ২: কু-ব্যান্ড ফটোডিটেক্টরের ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া)
● মাত্রা ও পিন ( একক: মিমি [ইঞ্চি] )

RF Connector:SMP
● অর্ডার করার তথ্য

পৃষ্ঠা ৩ঃ
| কোড | এনালগ ব্যান্ডউইথ |
| X | ০.১ ~ ১২ গিগাহার্টজ |
| Ku | ১ ~ ১৮ গিগাহার্টজ |
পৃষ্ঠা ৩ঃ
| কোড | সংযোগকারী প্রকার | মন্তব্য |
| N | কোন সংযোগকারী নেই | সিঙ্গেল-মোড ৯ / ১২৫ মাইক্রোমিটার ফাইবার পিগটেইল |
| A | এফসি / এপিসি | |
| P | এফসি / পিসি |
● সতর্কতা
ফাইবারের ক্ষতি এড়ানোর জন্য ফাইবারের বাঁকানোর ব্যাসার্ধ কমপক্ষে ২০ মিমি হতে হবে।
অপ্টো-সার্কিটের সাথে সংযোগ করার আগে ফাইবার কাপলিংয়ের পৃষ্ঠটি পরিষ্কার আছে কিনা তা নিশ্চিত করুন।
সংরক্ষণ, পরিবহন এবং ব্যবহারের ক্ষেত্রে উপযুক্ত ESD সুরক্ষা প্রয়োজন।

আমাদের সকল স্ট্যান্ডার্ড ফটোডিটেক্টরকে মডিউলে কাস্টমাইজ করা যায়!
অ্যাপ্লিকেশন
রাডার তথ্য প্রক্রিয়াকরণ
বৈদ্যুতিন যুদ্ধ
অ্যান্টেনা পরিমাপ
ফাইবার অপটিক যোগাযোগ
সুরক্ষা এবং নজরদারি

EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU







